ISO 17560:2002

Analyse chimique des surfaces -- Spectrométrie de masse des ions secondaires -- Dosage du bore dans le silicium par profilage d'épaisseur

L'ISO 17560:2002 spécifie une méthode de spectrométrie de masse des ions secondaires utilisant un spectromètre de masse à secteur magnétique ou quadripolaire pour le profilage en profondeur du bore dans le silicium et un profilomètre de surface à stylet ou un interféromètre optique pour l'étalonnage de l'échelle de profondeur. Cette méthode est applicable à des échantillons de silicium monocristallin, polycristallin ou amorphe dont les concentrations atomiques en bore sont comprises entre 1×1016 atomes/cm3 et 1×1020 atomes/cm3, et à des profondeurs de cratères de 50 nm ou plus.


Informations générales

  • État actuel :  Annulée
    Date de publication : 2002-07
  • Edition : 1
  • :
    ISO/TC 201/SC 6
    Spectrométrie de masse des ions secondaires
  • 71.040.40
    Méthodes d'analyse chimique

Cycle de vie

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