Résumé 

L'ISO 17560:2002 spécifie une méthode de spectrométrie de masse des ions secondaires utilisant un spectromètre de masse à secteur magnétique ou quadripolaire pour le profilage en profondeur du bore dans le silicium et un profilomètre de surface à stylet ou un interféromètre optique pour l'étalonnage de l'échelle de profondeur. Cette méthode est applicable à des échantillons de silicium monocristallin, polycristallin ou amorphe dont les concentrations atomiques en bore sont comprises entre 1×1016 atomes/cm3 et 1×1020 atomes/cm3, et à des profondeurs de cratères de 50 nm ou plus.


Informations générales

  • État actuel :  Annulée
    Date de publication : 2002-07
  • Edition : 1
    Nombre de pages : 10
  • Comité technique
    :
    ISO/TC 201/SC 6
    Spectrométrie de masse des ions secondaires
  • ICS :
    71.040.40
    Méthodes d'analyse chimique

Cycle de vie


Vous avez une question?

Consulter notre FAQ

Service à la clientèle
+41 22 749 08 88

Horaires d’ouverture:
De lundi à vendredi - 09:00-12:00, 14:00-17:00 (UTC+1)

Suivez l'actualité de l'ISO

Inscrivez-vous à notre Newsletter (en anglais) pour suivre nos actualités, points de vue et informations sur nos produits.

  2. Store
  3. Catalogue de normes
  4. TC
  5. ISO/TC 201/SC 6
  6. ISO 17560:2002