ISO 17560:2002
Analyse chimique des surfaces -- Spectrométrie de masse des ions secondaires -- Dosage du bore dans le silicium par profilage d'épaisseur
Cette norme a été révisée par ISO 17560:2014
L'ISO 17560:2002 spécifie une méthode de spectrométrie de masse des ions secondaires utilisant un spectromètre de masse à secteur magnétique ou quadripolaire pour le profilage en profondeur du bore dans le silicium et un profilomètre de surface à stylet ou un interféromètre optique pour l'étalonnage de l'échelle de profondeur. Cette méthode est applicable à des échantillons de silicium monocristallin, polycristallin ou amorphe dont les concentrations atomiques en bore sont comprises entre 1×1016 atomes/cm3 et 1×1020 atomes/cm3, et à des profondeurs de cratères de 50 nm ou plus.
Informations générales
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État actuel : AnnuléeDate de publication : 2002-07
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Edition : 1
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- ICS :
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Méthodes d'analyse chimique
Cycle de vie
Les normes ISO sont réexaminées tous les cinq ans
Révision / Rectificatifs techniques
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Actuellement annulée
ISO 17560:2002 -
Révisée par
ISO 17560:2014
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