ISO 14706:2014 Предпросмотр

Surface chemical analysis -- Determination of surface elemental contamination on silicon wafers by total-reflection X-ray fluorescence (TXRF) spectroscopy

недоступно на русском языке

ISO 14706:2014 specifies a TXRF method for the measurement of the atomic surface density of elemental contamination on chemomechanically polished or epitaxial silicon wafer surfaces. The method is applicable to the following: elements of atomic number from 16 (S) to 92 (U); contamination elements with atomic surface densities from 1 × 1010 atoms/cm2 to 1 × 1014 atoms/cm2; contamination elements with atomic surface densities from 5 × 108 atoms/cm2 to 5 × 1012 atoms/cm2 using a VPD (vapour-phase decomposition) specimen preparation method.


Общая информация

  • Текущий статус :  Published
    Дата публикации : 2014-08
  • Версия : 2
    Число страниц : 25
  • :
    ISO/TC 201
    Surface chemical analysis
  • 71.040.40
    Chemical analysis

Приобрести данный стандарт

Формат Язык
PDF + ePub
Бумажный
  • CHF118

Жизненны цикл

Стандарт, который пересматривается каждые 5 лет



Изменения / Исправления

  • Ранее
    ISO 14706:2000
  • Сейчас на стадии пересмотра
    ISO 14706:2014

Появились вопросы?

Ознакомьтесь с FAQ

Работа с клиентами
+41 22 749 08 88

Часы работы:
Понедельник – пятница: 09:00-12:00, 14:00-17:00 (UTC+1)

Будьте в курсе актуальных новостей ИСО

Подписывайтесь на наши новости, обзоры, а также на информацию о продуктах

Subscribe