недоступно на русском языке

Тезис Предпросмотр

ISO 23812:2009 specifies a procedure for calibrating the depth scale in a shallow region, less than 50 nm deep, in SIMS depth profiling of silicon, using multiple delta-layer reference materials.

It is not applicable to the surface-transient region where the sputtering rate is not in the steady state.

It is applicable to single-crystalline silicon, polycrystalline silicon and amorphous silicon.


Общая информация

  • Текущий статус :  Published
    Дата публикации : 2009-04
  • Версия : 1
    Число страниц : 19
  • :
    ISO/TC 201/SC 6
    Secondary ion mass spectrometry
  • 71.040.40
    Chemical analysis

Приобрести данный стандарт

Формат Язык
PDF
Бумажный
  • CHF118

Жизненны цикл

Стандарт, который пересматривается каждые 5 лет



Изменения / Исправления

  • Сейчас на стадии пересмотра
    ISO 23812:2009

Появились вопросы?

Ознакомьтесь с FAQ

Работа с клиентами
+41 22 749 08 88

Часы работы:
Понедельник – пятница: 09:00-12:00, 14:00-17:00 (UTC+1)

Будьте в курсе актуальных новостей ИСО

Подписывайтесь на наши новости, обзоры, а также на информацию о продуктах