Тезис
This document defines a method for evaluating effective in-plane thermal conductivity and conductance of a metalized ceramic substrate bearing a heater chip as an imitation of a SiC power semiconductor. The method provides an indicator for in-plane heat transfer properties of metalized ceramic substrates employed in high-power modules.
Общая информация
-
Текущий статус: В стадии разработкиЭтап: Начало изучения рабочего проекта (WD) [20.20]
-
Версия: 1
-
Технический комитет :ISO/TC 206
- RSS обновления
Жизненный цикл
-
Сейчас
-
00
Предварительная стадия
-
10
Стадия, связанная с внесением предложения
-
20
Подготовительная стадия
-
30
Стадия, связанная с подготовкой проекта комитета
-
40
Стадия, связанная с рассмотрением проекта международного стандарта
-
50
Стадия, на которой осуществляется принятие стандарта
-
60
Стадия, на которой осуществляется публикация
-
90
Стадия пересмотра
-
95
Стадия, на которой осуществляется отмена стандарта
-
00
