Тезис Предпросмотр
ISO 14706:2014 specifies a TXRF method for the measurement of the atomic surface density of elemental contamination on chemomechanically polished or epitaxial silicon wafer surfaces. The method is applicable to the following: elements of atomic number from 16 (S) to 92 (U); contamination elements with atomic surface densities from 1 × 1010 atoms/cm2 to 1 × 1014 atoms/cm2; contamination elements with atomic surface densities from 5 × 108 atoms/cm2 to 5 × 1012 atoms/cm2 using a VPD (vapour-phase decomposition) specimen preparation method.
Общая информация
-
Текущий статус : PublishedДата публикации : 2014-08
-
Версия : 2
-
- ICS :
-
Chemical analysis
Приобрести данный стандарт
| Формат | Язык | |
|---|---|---|
| PDF + ePub | ||
| Бумажный |
- CHF118
Жизненный цикл
-
Ранее
WithdrawnISO 14706:2000
-
Сейчас
PublishedISO 14706:2014
Стандарт, который пересматривается каждые 5 лет
Этап: 90.60 (Hа стадии пересмотра)
Появились вопросы?
Ознакомьтесь с FAQ
Работа с клиентами
+41 22 749 08 88
Часы работы:
Понедельник – пятница: 09:00-12:00, 14:00-17:00 (UTC+1)
Будьте в курсе актуальных новостей ИСО
Подписывайтесь на наши новости, обзоры, а также на информацию о продуктах.