Тезис
This document specifies the analytical performance requirements and test methods for silicon-based nanowire/nano plate field effect transistor (FET) sensors used in molecule detecting devices. It defines key performance parameters, including sensitivity, selectivity, exclusivity, and limit of detection. This standard provides guidance for manufacturers in evaluating the performance characteristics of these sensors.
Общая информация
-
Текущий статус: В стадии разработкиЭтап: Регистрация новой рабочей темы в программе работ ТК/ПК [20.00]
-
Версия: 1
-
Технический комитет :ISO/TC 229
- RSS обновления
Жизненный цикл
-
Сейчас
-
00
Предварительная стадия
-
10
Стадия, связанная с внесением предложения
-
20
Подготовительная стадия
-
30
Стадия, связанная с подготовкой проекта комитета
-
40
Стадия, связанная с рассмотрением проекта международного стандарта
-
50
Стадия, на которой осуществляется принятие стандарта
-
60
Стадия, на которой осуществляется публикация
-
90
Стадия пересмотра
-
95
Стадия, на которой осуществляется отмена стандарта
-
00
