ISO 14701:2018 Предпросмотр

Surface chemical analysis -- X-ray photoelectron spectroscopy -- Measurement of silicon oxide thickness

недоступно на русском языке

This document specifies several methods for measuring the oxide thickness at the surfaces of (100) and (111) silicon wafers as an equivalent thickness of silicon dioxide when measured using X-ray photoelectron spectroscopy. It is only applicable to flat, polished samples and for instruments that incorporate an Al or Mg X-ray source, a sample stage that permits defined photoelectron emission angles and a spectrometer with an input lens that can be restricted to less than a 6° cone semi-angle. For thermal oxides in the range 1 nm to 8 nm thickness, using the best method described in this document, uncertainties, at a 95 % confidence level, could typically be around 2 % and around 1 % at optimum. A simpler method is also given with slightly poorer, but often adequate, uncertainties.


Общая информация

  • Текущий статус :  Published
    Дата публикации : 2018-11
  • Версия : 2
    Число страниц : 17
  • :
    ISO/TC 201/SC 7
    Electron spectroscopies
  • 71.040.40
    Chemical analysis

Приобрести данный стандарт

Формат Язык
PDF + ePub
Бумажный
  • CHF88

Жизненны цикл

Стандарт, который пересматривается каждые 5 лет



Изменения / Исправления

Появились вопросы?

Ознакомьтесь с FAQ

Работа с клиентами
+41 22 749 08 88

Часы работы:
Понедельник – пятница: 09:00-12:00, 14:00-17:00 (UTC+1)

Будьте в курсе актуальных новостей ИСО

Подписывайтесь на наши новости, обзоры, а также на информацию о продуктах

 Subscribe