ISO 17560:2014 Предпросмотр

Surface chemical analysis -- Secondary-ion mass spectrometry -- Method for depth profiling of boron in silicon

недоступно на русском языке

ISO 17560:2014 specifies a secondary-ion mass spectrometric method using magnetic-sector or quadrupole mass spectrometers for depth profiling of boron in silicon, and using stylus profilometry or optical interferometry for depth scale calibration. This method is applicable to single-crystal, poly-crystal, or amorphous silicon specimens with boron atomic concentrations between 1 × 1016 atoms/cm3 and 1 × 1020 atoms/cm3, and to crater depths of 50 nm or deeper.


Общая информация

  • Текущий статус :  Published
    Дата публикации : 2014-09
  • Версия : 2
    Число страниц : 10
  • :
    ISO/TC 201/SC 6
    Secondary ion mass spectrometry
  • 71.040.40
    Chemical analysis

Приобрести данный стандарт

Формат Язык
PDF + ePub
Бумажный
  • CHF58

Жизненны цикл

Стандарт, который пересматривается каждые 5 лет



Изменения / Исправления

Появились вопросы?

Ознакомьтесь с FAQ

Работа с клиентами
+41 22 749 08 88

Часы работы:
Понедельник – пятница: 09:00-12:00, 14:00-17:00 (UTC+1)

Будьте в курсе актуальных новостей ИСО

Подписывайтесь на наши новости, обзоры, а также на информацию о продуктах

Subscribe