ISO/TR 22335:2007 Предпросмотр

Surface chemical analysis -- Depth profiling -- Measurement of sputtering rate: mesh-replica method using a mechanical stylus profilometer

недоступно на русском языке

ISO/TR 22335:2007 describes a method for determining ion-sputtering rates for depth profiling measurements with Auger electron spectroscopy (AES) and X‑ray photoelectron spectroscopy (XPS) where the specimen is ion-sputtered over a region with an area between 0,4 mm2 and 3,0 mm2. The Technical Report is applicable only to a laterally homogeneous bulk or single-layered material where the ion-sputtering rate is determined from the sputtered depth, as measured by a mechanical stylus profilometer, and sputtering time.

The Technical Report provides a method to convert the ion-sputtering time scale to sputtered depth in a depth profile by assuming a constant sputtering velocity. This method has not been designed for, or tested using, a scanning probe microscope system. It is not applicable to the case where the sputtered area is less than 0,4 mm2 or where the sputter-induced surface roughness is significant compared with the sputtered depth to be measured.


Общая информация

  • Текущий статус :  Published
    Дата публикации : 2007-07
  • Версия : 1
    Число страниц : 18
  • :
    ISO/TC 201/SC 4
    Depth profiling
  • 71.040.40
    Chemical analysis

Приобрести данный стандарт

Формат Язык
PDF
Бумажный
  • CHF88

Жизненны цикл

Стандарт, который пересматривается каждые 5 лет



Изменения / Исправления

  • Не подтверждено
    ISO/TR 22335:2007

Появились вопросы?

Ознакомьтесь с FAQ

Работа с клиентами
+41 22 749 08 88

Часы работы:
Понедельник – пятница: 09:00-12:00, 14:00-17:00 (UTC+1)

Будьте в курсе актуальных новостей ИСО

Подписывайтесь на наши новости, обзоры, а также на информацию о продуктах

Subscribe